主要特点
本仪器测量各种二端和三端半导体器件特性曲线，测量范围宽，精度高，其性能指标达到美国TEK576。
高精度晶体管特性图示仪,0-1500V 0.2A-20A。 发射极电流可测lnA/度-2mA/度。可局部扩展10倍
技术指标：
集电极电源：
交流，+（NPN），-（NPN） 峰值电压：0-15V 0-75V 0-350V 0-1500V 峰值电流： 20A 4A 1A 0.2A 保护措施：注入被测管的峰值功率可限定在设定值以下，功率限额分为6档，最低 100mW，最高220W 备有温升保护和过载保护线路，并有高压闭锁装置。 阶梯波发生器：
电流阶梯：50nA/阶至200mA/阶，分21档，误差：正负2% 电压阶梯：50mV/阶至2V/阶，分6档，误差：正负2%，倍率：0.1%，直流偏置：可在0-10倍幅度开关指示数之间连续调整。阶数：1-10阶可变。阶梯波形：连续或脉冲（1ms,300us)阶梯速率：50，100，200阶/秒。
垂直放大器偏转因数：
集电极电流：1uA/度至2A/度，分20档 ，误差：正负3% 发射极电流（漏泄）：1nA/度至2mA/度，分20档，1nA至5nA ， 误差：正负5%，其他档均为正负3%+1nA 阶梯显示：1阶/度 误差：正负4%
水平放大器偏转因数：
集电极电压：50mV/度至200V/度，分12档，以1-2-5为序，误差：正负3% 基极电压：50mV/度至2V/度，分6档，以1-2-5为序，误差：正负3% 阶梯显示：1阶/度，误差：正负4%
显示偏移：
可将屏上图象任一局部沿纵向或横向扩展10倍，从而提高分辨率，增加一位有效数字。此时垂直极限偏转因数是0.1uA/度，水平极限偏转因数是5mV/度。
中线值：
共计21位，每动一步，能使图象纵向或横向移半度（扩展后的5度）。"中线值"，"*10扩展"与阶梯".1*"以及"偏移"相配合，可以实现三端增量器件的测量。
